晶芯DDR2-800/1GB内存测试

内存新秀来自美国的晶芯科技

　● DDR2-800平价时代

　随着DDR2 DRAM芯片制造进入技术上升末期和市场绝对主流地位，JEDEC最高速度规格的DDR2-800内存早已经从刚推出时的发烧奢侈品走下神坛，成为普通用户可以纳入考虑的基本配件。虽然最终成品的价格仍高于DDR2-667产品，但甚微的幅度已经可以让人忽略不计。就现在购机的选择而言，DDR2-800内存模组已经是坚固性能和成本的最佳选择。基于如此背景，行业新秀晶芯科技适时的推出了自家的DDR2-800 1GB内存模组。

晶芯DDR2-800 1GB内存模组

　于1997年在美国加州硅谷成立的晶芯科技(GoldenMars)是一家致力于内存产品应用的公司，其生产基地设于中国台湾及美国，产品线涵盖内存模组、快闪记忆卡、多媒体电子产品、闪存等系列。业务在南美、北美、以至欧洲及环太平洋地区开展。它们于2005年开始拓展中国内地市场，初期主要以OEM业务为主；2006年6月，晶芯科技推出自有品牌GeeDom的产品并开始在内地零售市场上市。

晶芯科技官方网站

　“质量至上，服务为先”是晶芯科技的产品经营方针，在市场同样的低价之中，产品本身素质如何将是决定成败的关键，这里正是关于这款内存的介绍和测试，让我们一起来了解它。

　●内存模组概貌

晶芯DDR2-800 1GB内存模组正面

　晶芯此次送测的是一根non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2 SDRAM内存模组，为双面配置，16枚芯片分别贴装在深蓝色PCB的正反两面，产品整体做工用料都非常优秀。

晶芯DDR2 800 1GB产品详解

　●内存外部细节

　这款内存的PCB为多种尺寸FBGA芯片通用型，存储SPD信息的EPROM芯片位于模组PCB正面中央。晶芯内存产品实行终身质保政策，用户尽可放心使用。

晶芯DDR2-800 1GB内存模组背面

产品标签部分

　产品标签配色清凉，提供的信息包括产品型号、容量、运行频率和标准运行时序，这款产品为符合欧洲RoHS规范用料和制造，在环保方面紧跟国际统一要求。

　●内存芯片和SPD分析

elixir DDR2芯片

　这款内存使用了elixir FBGA DDR2内存芯片，芯片表面的原厂标识保留，可以直接了解DRAM颗粒信息。N2TU51280BE-25C为512Mbit规格，64Mx8bit组织方式，90nm工艺制造。标称速度2.5纳秒，标称运行模式DDR2-800_CL5上，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。

　精致的蓝色PCB和保留原貌的elixir芯片让人觉得这就是一款来自南亚原厂(elixir是南亚的品牌)的内存模组，接下来我们通过SPD信息来验证猜测。

CPU-Z显示的内存模组SPD信息　不出所料，CPU-Z 1.39显示的晶芯DDR2-800 1GB SPD信息如上图，所有信息均准确注明，其正是南亚生产的原厂DDR2-800内存模组。时序表部分设定完整标准，内存模组在DDR2-400下时序为3-3-3-9，DDR2-533下时序为4-4-4-12，DDR2-800下时序为5-5-5-18，属主流DDR2-800的正常水平。　　影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：

　　CAS Latency，内存CAS延迟时间。　　RAS-to-CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间。　　Row-precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间。　　Row-active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。　　这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。

硬件、软件测试系统明细

　　●测试系统的硬件环境

　　测试使用的硬件平台由Core 2 Extreme X6800 CPU、P965 Express主板和Geforce 8800 GTX显卡构成，细节及软件环境设定见下表明细。

性能测试和评测中心观点　　●轻微超频时序轻松上CL=4

　　经反复测试，晶芯DDR2-800 1GB在超频频率能力有限，以5-5-5-18的劣时序设定下最高频率也只在DDR2-930附近；另一方面，这款产品在时序优化表现方面还可圈可点，2.0V DIMM操作电压能够使其在DDR2-800下以4-4-4-12的提升一档时序稳定运行，另：厂商仅送测了一根模组，因此测试在单通道模式下完成。接下来是DDR2-800下5-5-5-18默认时序和4-4-4-12优化时序的性能对比：