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内存作为电脑的三大核心配件之一其重要性不言而喻，很多用户也将改善内存性能作为提高配置整体性能一个重要手段。提到改善内存性能，大家首先想到的可能是增加内存容量、对内存进行超频，部分硬件玩家还会想到通过优化内存参数改善内存性能。
< name=google_ads_frame marginWidth=0 marginHeight=0 src="http://pagead2.googlesyndication.com/pagead/ads?client=ca-pub-1572879403720716&dt=1190083278609&hl=zh-CN&lmt=1189633711&alternate_ad_url=http%3A%2F%2Fwww.qqread.com%2F0000js%2Fgoogle300.htm&format=300x250_as&output=html&correlator=1190083278593&channel=0168087865&url=http%3A%2F%2Fwww.qqread.com%2Fhardware%2Fmemory%2Fusing%2F2007%2F08%2Fi328577.html&color_bg=F9FCFE&color_text=000000&color_link=1F3A87&color_url=FF6666&color_border=F9FCFE&ad_type=text_image&ref=http%3A%2F%2Fwww.qqread.com%2Fhardware%2Fmemory%2Fusing%2Findex.html&cc=100&ga_vid=711421646.1190082701&ga_sid=1190082701&ga_hid=931069880&ga_fc=true&flash=9&u_h=768&u_w=1024&u_ah=738&u_aw=1024&u_cd=32&u_tz=480&u_java=true" frameBorder=0 width=300 scrolling=no height=250 allowTransparency> 不过目前大部分用户对于内存参数的定义和实际影响并不太了解，针对这一问题，笔者在本文中讲重点为大家介绍内存参数的含义，同时通过实际测试让大家了解内存参数对内存性能的影响，以及优化参数设置时的一些注意事项和技巧。
目前主流主板BIOS中常见的内存参数设置选项主要有以下几种：CAS Latency Control（tCL）、RAS to CAS Delay（tRCD）、Row Precharge Timing （tRP）、Min RAS Active Timing（tRAS），部分主板还提供了Command Per Clock（CMD）选项。除了上述常见参数设置外，大部分主板的BIOS中还提供了内存高级参数设置，这些参数包括：Row to Row Delay（或RAS to RAS delay，tRRD）、Row Cycle Time（tRC）、Write Recovery Time（tWR）、Write to Read Delay（tWTR）、Refresh Period（tREF）等（如下图所示）。需要提醒大家的是，不同主板厂商、不同品牌的BIOS在参数名称上可能存在一定差异，但是对应的缩写基本都是统一的。所以大家不用可以去记下参数的详细名称，只要记住对应的缩写就可以了。
究竟这些参数的改变对内存的帮助有多大，而在超频的时候，究竟采用哪个参数呢？相信就是高手也不能立刻回答这些问题。为了让喜欢玩内存的朋友更加深入了解这些参数设置，我们就用评测数据来解开内存设置之谜。如果你自认是高手，那么以下的文章内容，你能不看吗？
在此次测试中，笔者选用了采用奔腾 E2140处理器的Intel平台。由于目前大部分基于Intel芯片组的主板都没有提供CMD选项，因此主板方面笔者选用了七彩虹 九段玩家 650i Ultra主板，它采用nForce 650i芯片组，主板BIOS中提供了较为完善的内存参数设置。不过由于主板BIOS支持的最大内存电压仅为2.1V，这在很大程度上影响了内存的超频空间。所以在本文中追求频率极限并不是我们的重点，笔者主要还是通过内存超频来验证参数对内存稳定性的影响。
为了提高本次测试的代表性，笔者选用了金邦 黑龙条 1GB DDR2-800、宇瞻 黑豹II代 1GB DDR2-800以及创见 1GB DDR2-800等三款超频性能较为出色的产品，以此验证不同参数设置对内存性能和稳定性的影响。此外，笔者还将奔腾 E2140处理器超频至2.66GHz，此时处理器前端总线高达1333MHz，对内存的性能和稳定性变化更加敏感。
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| 测试平台 |
为了验证不同延迟参数对性能的影响，笔者在测试过程中进行了5项测试：分别单独调节tCL、tRCD、tRP、tRAS四项参数以及同时调节四项参数。经过多次尝试，三款内存在4-4-4-10时序下都能够获得较好的稳定性。详细测试结果如下：
从测试结果来看，同时降低tCL、tRCD、tRP、tRAS四项参数获得的性能提升最为明显，不过与内存在默认状态下的性能相比，整体提升幅度也只有1%-2%左右（个别测试项目可能达到4%以上，但不具备代表性），并不象一些用户想像的那样有大幅提升，大家在实际使用过程中很难察觉性能上的变化。而在测试过程中笔者曾经一度尝试3-3-3-8的延迟，但三款内存均无法顺利开机。由此可见，大幅降低参数延迟可能会造成内存稳定性下降。
另外，通过对比测试数据我们可以看到，在单独调节tCL、tRCD、tRP、tRAS参数的测试中，tCL参数的变化对于内存性能的影响要比其他三项参数更加明显一些。所以，如果内存在低时序下无法稳定工作，大家可以先逐步提高tRCD、tRP、tRAS参数的延时，然后再增加tCL参数延迟，直至内存能够稳定工作为止。
在之前的测试中我们重点为大家测试了内存时序中的不同参数对内存性能的影响，接下来笔者将围绕大家比较关心的CMD参数进行对比测试，帮助大家了解内存在1T/2T设置下的性能差异。同时，为了验证不同品牌内存在1T/2T下的稳定性，笔者还分别对金邦 黑龙条 DDR2-800、宇瞻 黑豹II代 DDR2-800以及创见 DDR2-800等三款内存进行了超频测试。测试结果如下：
从上述列表中我们可以看到，将CMD参数设置为1T对于提升内存性能的确有一定的帮助。内存在5-5-5-15@1T设置下的性能甚至超过了在4-4-4-10@2T设置下的性能。不过纵观整个测试结果，通过更改CMD参数获得的性能提升同样不是很明显。与内存在默认状态下的性能相比，1T设置除了在个别测试项目中的领先优势超过6%外，在大部分测试测试项目中的领先优势仅为1%-3%左右，甚至是没有变化。换句话说，用户在实际使用中很难察觉到如此微弱的性能差距，1T设置在性能上的优势只有通过专门的测试软件才能体现出来。
除了性能方面的微弱差别外，笔者在测试过程中还发现当CMD参数设置为1T时，内存的稳定性和超频能力较2T设置大幅下降。比如测试中笔者在DDR2-800频率、4-4-4-10时序下，将CMD参数设置为1T后三款内存均无法开机。金邦 黑龙条 DDR2-800在2.1V电压、5-7-7-19时序下可以稳定超频至DDR2-1000；但在采用1T设置后，内存只能在5-6-6-16时序下超频至DDR2-850的水平，而且无法通过SP2004测试，稳定性很差。如果此时继续提高内存工作频率，系统将无法正常启动。在另外两款内存上也有类似的情况出现（见上表）。由此可见，采用1T设置将使得内存的稳定性大打折扣。
总得说来，主流DDR2内存在1T设置下的性能要好于2T，但总体1%-3%的性能提升在实际使用中可以忽略不计。而在稳定性方面，1T设置下内存的稳定性较差，轻则影响内存超频能力，重则影响系统的稳定性；2T则能够充分保证内存稳定工作。所以笔者认为，对于普通用户而言，将内存CMD参数设置为1T是不明智的做法，虽然可能获得轻微的性能提升，但代价是稳定性大幅下降，得不偿失。当然，如果您是一位热衷于追求极致性能的硬件发烧友，那么通过更改内存的CMD参数就获得1%-3%的性能提升还是值得尝试的。
在之前的文章中，我们主要讨论了tCL、tRCD、tRP、tRAS、CMD等参数对DDR2内存性能的影响。除了以上因素外，内存的实际工作频率同样是不可忽视的决定性因素——众所周知，DDR2（包括最新的DDR3）内存的最大特点就是频率越高、延时越高。比如DDR2-667内存的延时大多为4-4-4-12，而主流DDR2-800内存的延时则达到了5-5-5-15。尽管如此，内存厂商还是不断推出高频率的DDR2/DDR3内存。而在价格相近的前提下，消费者也更青睐高频率的DDR2内存。这些都从侧面说明了工作频率对于内存性能的重要性超越了延迟设置。下面我们就通过实际测试来验证上述推断。
从上述测试结果我们可以清楚地看到，与更改内存参数获得的性能提升相比，提高内存频率对于提升内存性能的作用要更为明显——即使是在较高的延时设置下，DDR2-889内存的性能仍然超过了采用5-5-5-15@1T和4-4-4-10@2T设置的DDR2-800内存。另一方面，适当提升内存频率并不会影响到内存的稳定性，比如大部分DDR2-800存都能够稳定运行在DDR2-950@2T的水平，却无法在DDR2-800@1T下稳定工作。由此可见，适当提升内存频率能够有效弥补高延时造成的性能损失，在保证内存稳定性的同时显着改善内存性能。
对于采用Intel芯片组的Intel平台主板而言，提高内存工作频率主要通过提高处理器外频、更改处理器外频与内存频率之间的分频比例两种方法来实现。由于处理器外频与内存频率之间的分频比例是相对固定的，因此内存超频的自由度收到一定限制。相比之下，采用NVIDIA nForce 650i/680i芯片组的主板在内存超频方面要更为灵活，它们采用了先进的内存控制器，处理器外频、内存频率以及PCI-E频率可独立设定互不影响，从而具有更好的超频能力。
经过前面的测试和分析，我们可以对影响DDR2内存的诸多因素进行一个简单的小结——在所有因素中，工作频率对于DDR2内存影响最为突出。用户比较关心的内存时序、CMD等参数对于内存性能也有一定影响，但与频率变化相比影响要小一些。
所以，对于追求内存性能的用户而言，大家应该把提升内存频率放在首位。找到一个相对合适的超频频率后，再通过调整内存参数对内存性能进行进一步的优化。
具体到内存参数调节，通过此前的测试中我们可以看到调节时序参数可以在一定程度上提升内存性能，但提升幅度只有1%-2%。在实际调节过程中，大家可以先将tCL、tRCD、tRP、tRAS几大参数设定为较低的数值，如果内存出现不稳定的情况，我们再逐渐增加以上几项参数的延迟设置。考虑到tCL参数对内存性能影响较大，建议先增加tRCD、tRP、tRAS，最后再增加tCL参数延时。
对于大家比较关心的1T/2T设置，它对性能的影响要比时序参数明显一些，测试中内存在1T设置下性能有1%-3%左右的提升。不过在采用1T设置后，内存的稳定性大幅降低，超频幅度也受到明显制约。综合考虑，笔者认为追求性能的玩家可以尝试使用1T设置，但这必须是以不影响内存稳定性和超频空间为前提的。如果用户盲目追求使用1T设置而影响到系统的稳定性和内存的超频能力，这种做法显然得不偿失。至于普通用户，笔者认为最好不要去更改内存的1T/2T设置。
总而言之，如果用户希望获得更好的内存性能，那么最有效的办法的就是适当提升内存频率，这样内存的性能提升也是最为显着的。在对内存进行超频后，如果大家还希望进一步优化内存性能，那么可以适当降低tCL、tRCD、tRP、tRAS以及CMD参数设置。不过在降低参数延迟的过程中如果内存出现不稳定的情况，那么大家就应该逐步增加参数延迟（特别是CMD参数），这样才能兼顾性能和稳定性。最后，笔者为大家总结了内存性能优化的操作流程（如下所示），希望这些流程能够帮助大家充分挖掘内存的性能：
在默认参数下对内存进行超频，确定内存能够稳定工作的超频频率，其间可适当增加内存电压，但为了安全起见最好不要超过2.1V。（如果用户不打算对内存进行超频，只是想通过优化参数获得更好的性能，可直接跳至第二步）。
1：将内存延时设置在较低的水平，比如DDR2-800内存可以设定为4-4-4-10，更高频率内存可以设定为5-5-5-15。同时将CMD参数设置为1T，并利用测试软件检查内存是否能够稳定工作。
2：假如降低参数延迟后内存出现不稳定的情况，建议首先将CMD参数调整为AUTO或2T，再使用软件检测内存的稳定性。
3：如果内存在2T或AUTO模式下仍然无法工作，用户可将逐步提高tCL、tRCD、tRP、tRAS参数的延时设置。
4：对于tCL参数对内存性能影响较大，大家可以先增加tRCD、tRP、tRAS参数的延迟，最后再增加tCL参数延迟，直至内存能够稳定工作为止
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