威刚512MB DDR400

    其实世界上真正能有实力生产内存颗粒的厂商却并不是非常多，我们国内比较常见的也只有三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infineon)、美光(Micron)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)等等，这些都是世界上优秀的内存厂商，他们的说生产的内存颗粒不仅在默认下让内存达到最佳化设置，而且其惊人的超频能力，他们中大部分的内存颗粒都有从DDR400超频至DDR500的能力，有的还会更高，这些都是也是我们花钱去购买的大厂内存一个理由。

 现代(Hynix)D43颗粒－金士顿DDR400

 英飞凌(Infineon)BT-5颗粒－宇瞻DDR400

 华邦(Winbond)BH-5颗粒－勤茂DDR400

 镁光(Micron)-5B C颗粒－镁光DDR400

 三星(SAMSUNG)TCCD颗粒－G.SKILL芝奇DDR400

    你可以设想一下，如果你花费了一条DDR400内存的钱，而内存却又能超频至DDR600，是不是你所花费的钱又增值了呢。至于内存的选购和对整机性能的影响，大家可以参考文章《1MB仅6毛！市售内存六大采购火辣宝典》。

● 如果你购买到一条不好的内存，那么你将可能遇到这样的情况：

 买到内存不好，开机死机！玩到一般死机！超频更死！

    1、兼容性不好，导致系统无法启动

    2、质量不好，导致系统频繁死机

    3、性能不好，导致性能下降，成为系统瓶颈

    4、超频性不好，导致超频后不能与CPU同步，异步后性能下降

● 市场上真的还能够买得到极品内存吗？

    谈到极品内存，想必大家肯定会觉得那是及其希罕的事物，怎么可能被普通的用户购买得到，其实不然，只要你善于发现，还是非常之多的，今天小编就发现了一种内存，可能一说品牌很多不是玩家的用户肯定会很陌生，但是肯定性能是最为重要的，看文章标题大家应该能知道，它能在从DDR400超频至DD600下，而且能拥有最佳化的1T设置，5-3-3-2.5的延迟，真的是这样吗？太强了吧？到底什么颗粒那么厉害？我们带着问题，下面看我们接下来的测试。

    内存对于最终得分的影响主要取决于工作频率以及SPD设置。由于，我们本次测试中的内存均是工作在默认频率下，所以对得分有影响的只有内存的SPD信息设置。选购技巧：

    一、 DDR内存选购技巧

    1、颗粒介绍

　　这两三年来，内存条的品牌渐渐多了起来，不过能够生产内存颗粒的还是那么几家半导体大厂。三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)、茂矽(MOSEL)、ELPIDA等等。而某些颗粒厂商通常只用在显存上，比如EliteMT，就不多介绍了。应该说这些内存颗粒厂商都具有相当实力，不过最具有实力还属三星、现代以及美光。

● 现代D43颗粒

　　有些内存颗粒上出现不是这些颗粒厂商的LOGO，比如Kingston的部分颗粒、GeIL、KINGMAX等等，这些都是内存制造厂商自己打磨的，这个属于正常的打磨范围。而某些JS就通过打磨各种各样的LOGO来冒充正规产品，以次充好或者以低档充高档等等，这个就是俗称的“打磨条”。打磨条“涉及”的范围非常之广，一向假货极少的金邦内存都不能幸免，因此购买内存务必到正规代理商处购买。

    现代应该是大家都非常熟悉的内存颗粒品牌了，从SD时代到DDR时代，现代内存颗粒在国内的占有量绝对是首屈一指的。目前大家在市场中常见的现代内存规格主要分DDR400和DDR500两种规格。

 

 

 同为现代D43颗粒，CTP-D43比BT-D43超频性能稍弱

 

    在很多玩家心目中，HY D43芯片颗粒有着兼容性好、超频性出色的特点，而采用HY D43芯片的产品更是被众多玩家所追捧，有部分玩家还专门对HY D43芯片进行研究，例如HY D43 DT芯片的超频能力就比HY D43 BT突出。一直采用各种芯片作为内存的Kingston在近期就推出部分采用HY D43芯片的产品

 

    现代的D43颗粒应该是目前市场上非常流行，同时也是大家公认性价比非常好的内存颗粒。除了能在现代自有品牌上看到这种内存颗粒外，包括其他比较知名的内存厂商也都曾经采用过它。如果我们将它细分的话，D43内存颗粒又根据生产批次的不同，在编号上分为AT-D43、BT-D43、CT-D43和DT-D43。其中又以BT-D43和DT-D43最为常见，口碑也是最好。

 

● 三星TCCC颗粒

 

    三星（SAMSUNG）不愧为DDR时代的终结者，在512MB容量有TCCD和TCC5称雄，到了海量1GB的今天，又力推UCCC新君登基。

 

 

    UCCC颗粒首现于2004年4月，早期专供服务器高端ECC内存使用；几经调整，最终于2005年1月进入民用领域。前期产品依旧保持着服务器内存的特点，只以稳定性见长，超频性能一般。但三星为了重夺高频内存之王的宝座，于今年6月对UCCC做了进一步制程优化。两条1GB组成双通道，仅用2.8v电压就实现了1T DDR600。高频与海量兼得，稳定性绝佳，这就是DDR时代的最终王者――三星UCCC。

 

     三星（SAMSUNG）UCCC颗粒一定要选520周期以后的，只有这些周期生产的才是优化颗粒，之前的则“服务器”风格较重。

 

● 三星TCCC颗粒

 

    TCCD颗粒固然是好，不过其高昂的价格也是另人难以接受的。然而大家在过于关注TCCD的同时却忘记了它的同门师兄—TCCC，TCCC其实也是一款非常好的内存颗粒，最早我们是在三星原厂的“金条”中认识它。

 

 

    TCCC的颗粒品质基本上和现代D43比较相近，DDR400下可以优化到2-3-3-5的延时参数，部分TCCC颗粒也可以达到DDR500的水平。不过TCCC仍然对内存电压不感冒，如果你手中的TCCC颗粒内存无法达到DDR500下工作，那么你如何狂加电压也是于事无补。很可惜，三星TCCC内存颗粒除了在三星自有品牌内存上可以看到外，很少在其他品牌内存上出现过。不过三星金条的做工确实很优秀，兼容性也很好，但是价格方面也比普通内存高了一些。

 

● 英飞凌（infineon）BT5、CE5和BE5颗粒

 

    来自德国的英飞凌科技前身为西门子半导体公司，在2000正式上市以后同样受到业界的广泛关注。英飞凌非常重视国内的代理渠道，我们在国内看到的英飞凌正品内存全部为：香港锐科集团有限公司所代理的——星河（Galaxy）系列内存。

 

 

 英飞凌（infineon）BT5颗粒

 

    目前市场上流行的英飞凌DDR400颗粒编号主要有：BT5、CE5和BE5这3种，其中BT5颗粒最早曾经在宇瞻高端的“黑豹”内存上出现过。CE5和BE5是英飞凌随后生产的内存颗粒，超频性能均在BT5之上。而关于CE5和BE5究竟谁更强的说法大家众说纷纭，不过可以确定的是它们的标准时序都可以在2-3-2-5下稳定工作，一些品质好的CE5和BE5颗粒内存还可以工作在更高的DDR500上，性能非常强劲。另外，英飞凌原厂内存的做工也是同类产品中属一属二的。

 

    PCPOP小常识：有些人看到芯片编号中有“HYB”字样，便误以为是现代（HYUNHAI）的内存芯片，而现代内存芯片编号是以“HY”开头的，这也难怪会有人认错，实际上HYB”是英飞凌进入DDR和DDR-2时代后进行统一编号所选用的代码，Infineon（英飞凌）内存颗粒，有人将Infineon称为西门子（Siemens），事实上英飞凌的前身就是西门子半导体公司，在SDRAM时代，我们经常看到Siemens字样的内存，但如今Infineon早已独立，所以不再叫它西门子内存。

 

● 镁光MT-5BC和MT-5BG

 

    镁光（Micron）身为世界第二大内存颗粒制造商，其产品却在国内极少现身。这是因为镁光很少将自己的优质颗粒卖给其他内存品牌，其极品颗粒一直是专供自家DIY品牌Crucial使用。

 

 

 注意看内存参数

 

    或许是由于国内代理渠道的问题，我们在国内很少能够看到镁光品牌的原厂内存，不过你却可以在一些知名品牌内存上见到镁光颗粒。目前市场上主要流通的有MT-5BC和MT-5BG两个型号的DDR400规格内存颗粒，其中根绝国内大部分的网友反映，MT-5BC的超频性能还会更优秀一些。

 

    镁光的MT内存颗粒非常有特点，芯片的两端分别有个半圆形的缺角很容易就让人一眼辨认出来它的来自镁光。与大多数DDR400内存不同的是，镁光MT颗粒可以在DDR400规格下达到极低的TRD和TRP延时，默认电压下可以达到2.5-2-2-5这样一个非常不错参数。其实际效能甚至可以和TCCD在DDR400的环境下的表现相媲美，略微加电压则可以达到DDR500的标准甚至更高，如果你在市场中看到了这个系列的内存可千万不要放过！

 

● 华邦新BH5颗粒

 

    提起华邦BH5内存颗粒的大名，我相信无人不知无人不晓。这款内存颗粒的最大特点就是耐高电压。在3V甚至更高以上的电压下，它的超频幅度是十分惊人的，因此也有很多人戏称它为DFI专用内存。

 

 

 Winbond华邦 （W942598BH-5）5纳秒颗

 

    BH5颗粒真可谓是来也匆匆去也匆匆，刚刚名声大震后，它也基本在市场上销声匿迹了。随后而来的TCCD盖过了它的锋芒，成为新一代超频王者，但世界上却再也没有一款能像BH5那样性价比出色的内存了……

    在超频玩家选择内存的时候，有一些内存颗粒的编号是相当重要的。比如三星的TCCD和TCCC、还有现代的BT-D43、还有英飞凌的-5-C等等。这些代表内存批次的编号通常都有不错的超频能力或者上低延迟能力。其中又以三星的TCCC和TCCD颗粒最为著名，海盗船出品的极品内存通常都采用这种颗粒，能够在5-2-2-2时序下超频在DDR500以上，在发烧界中口碑极好。

    2、如何看内存的用料及做工好坏

　　我们可以从下面几个方面来判断内存条的好坏：金手指、用料、设计、工艺。

 

 金手指部分

    金手指：内存的金手指通常有两种制造方法，电镀和化学镀(以下简称：化镀)。化镀的金手指会比电镀的薄20微米左右，不过肉眼很难看得出来，电镀的金手指耐磨度和电气性能更好。但是鉴别起来很简单，电镀的金手指在末端会有一个“小辫子”，这个是生产工艺造成了，没有办法避免，如图所示。这两种工艺成本差价大概在10元左右，相对于目前内存的价格，还是比较可观的。另外，好的金手指通常看起来和黄金差不多，黄颜色很有质感；差的金手指看起来泛白。

    用料：要看一根内存的用料水准很简单：如果内存上面的小贴片元件多，那么这根内存用料应该说不错。用在内存上面的小元件主要有两种，一种上面有数字的，叫做排阻；一种更小的方块，叫做电容，通常用作耦合。一般在内存颗粒和金手指之间，会有很多的排阻，而内存颗粒周围则会有很多电容。用料差的内存，在整个PCB板面上都是“光秃秃”的。

    设计：内存的PCB板通常为四层板或者六层板，尤其对于DDR内存，由于工作频率较高，采用六层板为佳。

    不过为了控制成本，厂商通常有更加折中的办法 ：采用四层板，然后使用单面；或者采用六层板，双面都使用。不过仍然有很多厂商采用六层板单面设计，这样就不惜工本。

    工艺：拿起一根内存，看看PCB板的四边是否有毛边，是否摸起来光滑。如果是，那么这根内存的PCB板边还是处理的不错的。

    其次，看看内存上颗粒、排阻、电容的焊接工艺，如果焊点圆滑饱满富有光泽，那么这根内存所使用的焊锡和焊接机是比较好的。

    DDR（Double Data Rate）内存是双倍数据传输速率同步动态随机存储器的简称，DDR内存是SDRAM向前进化的产物，本质上和SDRAM完全相同。DDR内存可以在时钟周期的上升或下降阶段传输数据，所以理论上与同频运行的SDRAM内存相比，DDR内存具有双倍于SDRAM内存的带宽。

    DDR内存也好像它们的前辈那样，经历过FPDRAM、EDORAM、SDRAM到今天的DDRRAM变迁之后，随着技术进步而被逐步淘汰。

     DDR内存标准除了中国台湾的威盛VIA，矽统SIS，扬智ALI三大芯片厂商的支持以外，DDR AMI2 联盟内的NEC，MICYON，三星，现代，日立，东芝，三菱，富士通(有些已转RDRAM阵营)等等无一不是世界上有影响力的业界大厂，在当时同时以AMD 760芯片组、VIA KT266芯片组、ALi的MAGIK1芯片组等DDR主板的面市，DDR的声势日渐浩大，甚至英特尔也不得不接受DDR的各种优势，在845芯片组中使用DDR，其服务器芯片i870也支持DDR SDRAM内存。其它的电脑厂商如IBM，NEC等更已经被DDR SDRAM深深吸引住。

    过去DDR内存规格出现了4种：目前DDR内存已经有三种规格，分别是PC1600（带宽为1.6GB/s）DDR200、PC2100（带宽为2.1GB/s）DDR266、PC2700（带宽为2.7GB/s）DDR333，PC3200（带宽为3.2GB/s）DDR400。

    由于生产成本上同传统的SDRAM相比只是略有提高，而且只需对原有的SDRAM生产线进行小范围的改造就能转入DDR内存的生产，再加之不存在任何专利等方面的问题，所以DDR内存成为今天乃至今后很长一段时间内的主流产品已经成为一个不争的事实。

● DDR内存神话：三星TCCD内存为什么这么牛？   

    三星是目前世界上最大的半导体公司，也是排名前三名的内存厂商，其生产的内存颗粒为各内存厂商广泛采用，编号为TC系列的DDR内存颗粒更是得到了超频玩家们的热爱，当然其中最著名的就是TCCD颗粒。

     继华邦的BH-5之后，三星的TCCD是第二款应该被大家记住并怀念的颗粒；TCCD被称之为“BH-5的代替者”，某些人赞同这一说法，当然也有人反对。TCCD可以称得上最全面的内存芯片，要高参有高参，要高频有高频，TCCD可以在2-2-2-X的时序下稳定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的时序下以超过300MHz的频率稳定运行，是目前工作频率最高的DDR内存芯片。由于三星早已宣布停产TCCD颗粒，所以市场上采用该颗粒的内存越来越少，有点如当年的BH-5的引退之势，当然小编还是找到了这样的内存，立即推荐给大家。

    在很多超频玩家心目中，诸如：海盗、OCZ等内存产品都是这些超频玩家的首选产品，甚至采用D43颗粒的KingStone都被玩家们津津乐道。但是在很长时间里，玩家们都忽略了这样一个品牌：G.Skill，G.Skill（芝奇）是我国台湾省台北市一家内存模块专业制造商。和其他厂商不同的是G.Skill（芝奇）是由一群计算机狂热玩家组合成立的，所以其产品充满了最新最狂热的理念，那就是‘超频’。

    极致效能内存的制造商 - G.SKILL芝奇发了他们最新的DDR400 2-2-2-5 一对 1GB 的FX 系列，国内市场也已经全面到货，玩家已不用担心这只是“非卖品”。 FX 系列是使用三星科技最著名的高效能内存颗粒 – TCCD。FX 系列同时兼容于Intel 以及AMD 平台。

 强悍的默认参数DDR400 ，5-2-2-2

 

 芝奇 G.SKILL 1GBFX，512×2双通道套装

 

    在发表了多款畅销的高频率系列之后，芝奇发表的 FX 系列是 DDR400 2-2-2-5。

 

 

 官方提供的内存技术参数

 

    介绍了这么多内存超频极品，大家是否已经想要试试自己的电脑超频性能如何呢？接下来我们给大家介绍一下如何更好的超频自己的内存，我们一起来看看吧。

    目前市售的内存很多都标榜着DDR600,但是DDR600可不是买回来插在主机板上开机就会变成DDR600,也并不是每种平台都可达到DDR600甚至更高,我们以DFI nf4平台为例教大家如何超频到DDR600。

 

 

 超频菜单 

 

● 第一步：倍频

 

 

 LDT/FSB调节很重要

 

    这个选项关乎我们超频的成功率，很多玩家没有超频成功大部分原因都是因为这个选项没有调节好。在这里我们超频之前先把这项数值调节为2X或者3X然后在进行接下来的参数调节。

 

 

 倍频调节选项，当前为9X

 

 

 内存与处理器异步调节

 

    以下以DFI nF4系列平台为例为各位作示范,想要将内存超频到DDR600我们首先要确保自己的CPU能够上到300外频，虽然我们可以通过CPU与内存异步调节，使CPU不需要达到如此高的外频就可以让内存上到DDR600，但是内存异步对于性能的损失相当大，或者说你CPU外频较低，而仅仅是提高内存频率，对于整机性能如杯水车薪一般。所以CPU的外频最好能够和内存同步，这样才能够达到性能最大化。

 

 

 Command Per Clock调节菜单

    首先，我们要确定自己的CPU能够达到300外频。有些处理器可能无法直接上到300外频，我们可以通过调节处理器的倍频使内存较容易上到300外频。我们这里拿一颗Athlon 3000+为例，Athlon 3000+主频为1.8GHz，外频为200MHz，倍频为9，此时如果我们直接让外频超到300MHz的话，可能很多处理器无法达到，这是我们可以调节处理器的倍频选项来达到我们的目的（AMD处理器一般锁定倍频向上调节，但是没有锁定向下调节）。

 

    这个时候我们只需要把CPU倍频调节到8X，然后再把CPU外频调节到300MHz的话，超300MHz外频的成功率就会大大增加，并且你不会因为降低倍频而造成性能的损失。

 

● 参数

 

 

 内存调节菜单

 

 

 CL值调节

 

    接着DRAM+0.03V可开可不开,在范例中是未开的,因为开机后要先测试MEMTEST86+所以这个选项也请打开(MEMTEST86+为测试内存稳定度的软件)

● 时序

 时序调节

    第一项为内存频率调节选项，这里可以调节内存的时钟频率，我们的目标是让这个频率调节到300MHz。第二项为Command Per Clock选项，这个选项直接关系到整机的性能，1T与2T时序可以让整机出现5％左右的性能差距，这里我们最优先选择1T时序。

 

 

 Write CAS值

 

    第三项为CAS值，这个数值早在SDRAM时代就被很多玩家所关注，也是当时超频内存时最为重要的一个选项，但是在进入DDR时代以后，这个数值对于整机性能影响减小，但是即使是1%或2％的性能提升也不能够放过。这里如果内存体制好的话最好设置在2.5，如果不稳定调节到3。

● RAS值的重要性与调节

 

 

 RAS时序调节

    我们最好将系统内存想程序一个二维的查询表，当我们要存取数据时，需要先指定存放数据的一列（row）地址所在，也就是送出一个称为RAS（Row Address Strobe）的讯号，然后接着送出CAS（Column Address Strobe）的讯号来定义行（Column）的数据位置，透过哪一行及哪一列的位置确定，就可以找到正确的数据存放位置，不过在接连送出的RAS和CAS的讯号间，需要有一个短暂停顿，以确保内存的正确位置被锁定，这就是本文所谓的RAS-to-CAS的延滞，一般与的数值是二到三个内存频率的延迟时间。

 

 Read Preamble Time调节

 Refresh Perlod调节菜单

    设定SDRAM RAS to CAS Delay数值是为了设定RAS的讯号送出后，在隔多少内存频率后才送出CAS的讯号，可能的数值范围是2到5，2是最快的，每次调一个数字再测试整个系统的稳定性，愈好的内存模块，可以让你设定更快的数值而系统依然可以稳定运作。

 

 内存时序调节页面

 

    一般默认的为4-8-4，当我们调节好刚才我们介绍的许昂想以后，确认系统能够稳定运行，这个时候我们逐一把这三个数值向下调节，每调节一项测试一下系统的稳定性，这里我向大家推荐Super PI，这个软件对于系统稳定性要求较高，并且检测速度快，是一个不错的选择。

测试完成一切稳定时可以试着调整到2.5-4-7-3重测一次，如果系统不稳定可以适当的调节内存电压。

 

 

 内存电压调节选项，初学者适当调节

 

 

 PCI eXpress设置

 

    接着是Row to Row delay下去的4个选项，在确保系统在调节稳定以后，可以把接下来的4个内存参数由默认的2-2-2-3，调节到2-2-1-2测试一下稳定性，如果不能够稳定运行可以适当加一些内存电压，这个参数对于内存性能影响不是很明显，如果不能够稳定运行使用默认设置即可。

 

    Refresh period最好设置为100 1.95us，这个设置可以加快浮点运算性能。接着来看DRAM Drive strength跟DRAM Data Drive strength这两项设定攸关CPU内存控制器兼容性的优劣,也攸关整体平台的稳定。

 

 

   MemTest86+开关部分

 

    在一般情况下如果DRAM Drive strength设的愈高,进操作系统会愈稳定,但设的低的话跑MEMTEST会更稳过,所以有些人会在跑MEMTEST86+时DRAM Drive strength设5或更低,以便很顺利完成MEMTEST86测试,但是以这样的设定别想顺利进入OS桌面或完成PI测试。

 

 

 Bypass Max调节，保持7X为宜

 

    接着请看MAX Async Latency与Read Preamble Time,这里是设8与5,建议也可以设auto,在auto时会随着外频的升高而放松这两项参数,当然8-5是最佳设置。

 

● 注意事项

 

 

 以上是范例跑PASS3 OK我就跳出(这张频率是设3G)

 

    以上是范例跑PASS3 OK我就跳出(这张频率是设3G)接着进入TEST8，进入步骤请按C-1-3-8-0会进入TEST8。

 

    接着就是Dynamic counter范例是设enable,enable是严谨的,当你过不了测试有加电压无效时,请试着关掉Dynamic counter再测一次,还有DRAM Response请务必设fast

R/W Queue Bypass 设16x 就ok(对于性能提升不是很重要)

By Passmax设7x 。

 

    设定完成请按F10存档,一开机会进入MEMTEST86+画面,请直接进入TEST5与TEST8,进入步骤请按C-1-3-5-0会进入