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内存颗粒＋显存颗粒 知识
硬件区整改，来支持一下
许多网友升级硬体的首选是内存。但是对购买内存要注意哪些东东，大多数网友都不是很明白？
为什么好多同样频率不同品牌的内存，在价格上却相差很多？这些价差很大程度上就在于各品牌内存对内存颗粒不同选择，采用的颗粒不同价格就有一定差距。
说到内存颗粒我们不得不提到它的编号，只有对内存编号有了明确的了解才能不被JS忽悠。下面介绍一下主流ddr2的内存颗粒。（附上一些本本内存颗粒图,显存在2楼）
主流DDR2内存颗粒
目前，市面上的内存就制造上主要分为两大类。一类来自采用现代、三星、英飞凌等国际半导体芯片制造商生产的的内存芯片，然后打造自己品牌的产品，比如目前金士顿、威刚等品牌的内存都属于此类内存模块。二类就是DRAM大厂的原厂内存。由于DRAM大厂的原厂内存更多的是被整机厂商使用，而直接在国内零售市场和最终用户见面的机会并不多，目前国内的消费者能够买到的原厂内存一般只有三星“金条”与英飞凌原厂内存。
由于原厂内存一般都具有极佳的PCB设计和制造品质使其拥有品质优秀、兼容性好、超频能力强、稳定性一流等特点，因此吸引了大批超频玩家通过各种渠道去获得这些原厂内存条来满足自己PC的超频需要。
不过，无论是什么品牌的内存模块，都离不开内存颗粒，这往往是对内存性能的最大决定因素。由于当前可以生产内存颗粒的厂商不多，因此我们很容易从内存颗粒上辨别出所选择内存模块的规格、性能。
1、三星(Samsung)
三星有GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF)系列，另外还有SC和YC，并采用90nm生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。YC是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到。目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400)、GCD5/ZCD5(多用于DDR2-533)、GCD6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等；这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力，且仍保持低延迟风格。不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC)，默认时序参数已设定得较为保守，不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上，优势明显，这也是为什么三星颗粒品质较好的一个原因。GCCC和GCD5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。使用三星ZCD5颗粒的DDR2-533内存在不加电压超频情况下，能够以4-4-4-X的时序稳定工作在DDR2-667模式，更具备挑战DDR2-900的实力，且售价也较高，三星原厂条多选用这种颗粒。
三星DDR2内存颗粒的第一排编号通常由K4开头，代表Memory DRAM的意思
第三位“T”代表内存为DDR2内存
第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量
第六、第七位代表位宽，08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、08为×8、16为×16
第八位代表逻辑Bank，其中“3”的逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks
第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为SSTL 1.8V
第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推、越新越好
第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA(Small)、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF(Small)
第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是L则为低能耗
第十三、十四位代表内存速度，其中D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。总体来说，三星DDR2内存颗粒的超频性能都不错，即便是D5、E6的DDR2颗粒，也可以超到700MHz、800MHz的水准。
常采用三星内存颗粒的内存模块厂商：三星、金士顿、创见、超胜、Apacer等厂商
2、英飞凌(Infineon)
提起 Infineon(中文名：英飞凌)这家由德国西门子(Siemens)公司半导体部改组而来的世界顶级半导体芯片制造商，其生产的内存颗粒一直被全世界的电脑玩家狂热推崇，笔者也相信国内不少的电脑玩家已经是它的忠实FANS了。英飞凌DDR2内存颗粒编号也象上面海力士、三星一样有规可循，我们可以将其分成9部分来解读内存规格，下面我们以“HYB18T256800AF25”为例：
HYB：就像现代的HY、三星的K4一样是为英飞凌内存颗粒的编号的前缀
18：工作电压为1.8V
T：DDR2
256：容量为256MB，如果是512则为256MB，1G则为1GB
80：位宽为×8，如果是40位宽则为×4，如果是16位宽则为×16
0：Standard product(标准产品)
A：封装版本
F：封装形式为FBGA
25：表示这是一款DDR2 800颗粒，如果是37则为DDR2 533(4-4-4)，如果是3则为DDR2 677(4-4-4)。在速度标准中，英飞凌的芯片还有一种3S的参数，代表DDR2-667(5-5-5)。
英飞凌DDR2颗粒在品质上都属于上乘货色，超频性也不错，目前采用英飞凌颗粒的厂商有Infineon、金士顿、宇瞻等内存模块厂商
3、美光(Micron)
美光的DDR2内存芯片编号比较特别，封装上的编号并不是正规的编号，从编号上一般只能识别出这是颗粒的生产日期和产地编号，但是在芯片上也找不到美光所公布的正规编号。对于这种情况，用户只需将颗粒表面的第二行编号(又称为FBGA码)输入到相关页面上(http://www.micron.com/support/fbga/decoder.aspx)查询规格。
值得一提的是，虽然从编号识美光内存颗粒的规格还有一定的障碍，但仍有几款内存颗粒的超频性能特别优异，它们就是被玩家称为“fatboy d9”的D9内存颗粒。D9内存颗粒最早的编号全称为“FBGA D9”，由于五位编号会以“D9”为起始，所以也被称为“D9”颗粒。
“Fatboy”D9昵称的由来是其110纳米制造工艺导致的芯片体积，然而先进工艺=更好性能的惯例此次被打破，这种样子夸张的内存芯片对工作电压的提高有极好的正面反馈，2.4V以上工作电压的“Fatboy”D9芯片DDR2 400/533内存模组有很多可以把内存时序调节到3-2-2(DDR2 SDRAM支持的最快时序)并且工作在DDR2-800以上的频率上，如果是4-3-2设定，这些怪物突破DDR2-1000频率也不是难事。
要知道这样的成绩是在04、05年生产的DDR2-400/533内存芯片上实现的，其他厂商的DDR2 SDRAM内存芯片的超频能力根本无法望其项背。此前Crucial、CORSAIR、mushkin、Patriot、OCZ、GEIL等多家DDR2 533超频内存大多数就是采用此类内存颗粒。但也不是所有的D9都好超，像绿色PCB上的就是普通颗粒，超频能力并不理想。
除了“FBGA D9”颗粒之外，美光还推出了D9GKX、D9GHM、D9DCN等新的D9颗粒。其中该系列内存精选口碑出众的镁光D9GMH颗粒，在MT将DDR2内存颗粒制程由110纳米转向90纳米后，FATBODYD9就很少见到了，取而代之的就是现在很多内存厂商封装记忆体时优先选用的小D9颗粒。这些编号为D9GMH、D9GCT、D9GKX等的新一代内存芯片在保持接近“Fatboy”D9低时序能力和对电压敏感的前提下，把4-4-4时序下的频率上限提高到了DDR2-1100附近！而极限运行频率更达到约1200MHz！能实现如此超频目标的芯片本身规格仍旧是DDR2-533/667。
另外，还有易胜(Elixir)、南亚等内存颗粒，在性能上属于中规中距，因此在这里就不再一一介绍了。如遇到颗粒表面覆盖了散热片或者颗粒表面已被内存厂商重新标注的情况，显然无法再用前面所讲的方法识别内存颗粒的标准规格。虽然用CPU-Z可以查到内存的相关信息，但并不能保证完全准确，因此我们建议大家最好是向厂商
咨询。
4、海力士(Hynix)
海力士DDR2内存颗粒的第一排编号通常由HY开头
第3、4位“5P”代表DDR2
第5位“S”代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V
第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”为128Mb、“56”为 256Mb、“1G”为 1Gb、“2G”为2Gb。该值除以8即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量
第8、9位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第8位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第8、9位
第10位代表逻辑Bank数。其中“1”为2Banks，“2”为4Banks，而“3”为8Banks
第11位代表接口类型。比如“1”为SSTL_18，另外，“2”为SSTL_2
第12、13位代表产品的规格，比如C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好
海力士内存颗粒的超频性一向不错，比如C5、C3，特别是目前代号S6的DDR2-800内存颗粒比较好超，一般都可以超到1000MHz的水准，因此对于组建扣肉、AM2超频平台的朋友来说，是极不错的选择
常采用的内存模块厂商：很多品牌的DDR2内存都有采用海力士DDR2内存颗粒，如创见、威刚、超胜等
主流DDR2内存模块产品点评
1、创见(Transcend)DDR2 800 1GB内存
虽然名气可能不是非常大，但创见也是一家非常有实力的内存大厂。它为全球第二内存品牌，台湾内存第一品牌，同时也是第一家在台湾上市的内存厂商，并且一直坚持100%测试、100%兼容以及终生免费质保的经营理念。不过其产品主要面向企业用户，DIY市场并不多见。这款内存模组采用双面设计，6层PCB设计，内存标签信息比较清晰，上面清晰的列明了产品的内存容量和频率。
在内存颗粒方面，这款DDR2 800 1GB模组采用16颗Hynix HY5PS12821A DDR2 800内存颗粒，其默认内存时序为5-5-5-16，也可以轻松地将内存时序超频至4-4-4-10。(注意：也有部分是采用三星的K4T51083QC颗粒。)
2、三星DDR2-667 1GB金条
三星(SAMSUNG)是少数在零售市场上出货原厂模组的DRAM制造商之一，作为DRAM制造的No.1企业，名称为三星金条的内存模组有着最为可靠的兼容性，相信大多数主板的设计阶段都会使用三星原厂模组进行验证。三星这 DDR2-667 SDRAM内存模组，采用非ECC型模组PCB设计，双rank、16颗芯片配置的规格。PCB整体做工优秀用料十足，6层PCB上带有SAMSUNG的Logo。
模组搭载了SAMSUNG自家的内存芯片，采用最新的90nm制程，芯片编号为K4T51083QC，512Mbit规格，64Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit。这款内存时序表部分同样设定完整，内存模组在DDR2-400下的
时序为3-3-3-8，DDR2-533时是4-4-4-11，DDR2-667为5-5-5-13，稍好于平均水平。
3、GEIL白金条DDR2-667 512MB内存套装
这款金邦DDR2-667白金系列内存采用双通道套装的形式，包装盒右下角“Platinum”代表其为金邦“白金系列”内存。金邦的高性能内存模组通常安装有金属外壳并称做白金版，因此这款内存模组上也带有金属外壳，为铝质本色，表面经过防氧化处理。GEIL没有使用弹片扣具，外壳直接贴装在内存颗粒上。这款模组配置了Elpdia生产的内存芯片，使用512Mbit规格，64Mx8组织方式的芯片，工作电压是1.8V，默认的CAS/TIMING参数是4-8-4-4。同时FBGA的颗粒封装方式和墨绿色六层低电磁通量干扰条底板提供了优秀的电气性能，是内存超频的保证。
金邦DDR2白金系列内存金手指的部分采用了化学镀金工艺的制造方法，采用这种方式的优点在于制造出的金层更厚，不但防氧化性能更优秀，而且能够增加插拔次数。注重电脑性能、喜欢超频的朋友不妨考虑一下。
4、英飞凌DDR2-800 512MB内存
这款英飞凌DDR2800内存同以往一样也采用了透明硬盒包装。内存采用了厚实的6层PCB板，用料做工优秀，PCB颜色仍旧是清爽的翠绿，在内存PCB板上还有大量的排阻与贴片电容，使产品的稳定性得到了进一步的保证。PCB边缘切割整齐，金手指采用技术较为成熟的电镀金制造工艺，表现色泽纯正光亮，充分保证了金层的厚度和均匀度，延长了产品的使用寿命。
内存颗粒编号为HYB18T256 800AF25，32Mx8bit组织方式，双面16颗32M的颗粒，从而构成512MB的容量，颗粒使用FBGA封装，标称2.5纳秒，工作电压1.8V。贴于模组正面左侧的浅蓝色贴纸上注明了模组容量，运行速度/标准延迟规格。这款内存模组的产品标注部分相当详细，包括品牌、产品型号/编号、组织形式运行速度/时序；“Assembled in Germany”显示出模组是在英飞凌德国的工厂组装的，产品质量应该有最好的保证。由于这款内存采用的是真正的DDR2 800规格的内存颗粒，而并不是"超频"的产品。因此这款内存自然就还拥有一定的超
频幅度
5、PQI(劲永) DDR2 667 512MB内存
对于PQI(劲永)或许有些朋友还是不了解，在DRAM产品线上主要分两个系列：Turbo系列主打中高端市场，以良好的超频性能和高频稳定运行为特点。除此之外，Power系列主打低端市场，以稳定和性价比出色为特点，为了更好控制成本内存条上是没有加装散热片的。今天我们介绍的是属于Power系列的DDR2 667内存。
PQI这款DDR2 667内存选用了较普通的内存包装，外包装上的封贴也是以往DDR内存的封贴。内存采用的是6层绿色PCB板，做工非常细致。由于散热量非常小，内存上没有覆盖金属外壳。金手指指间均匀，色泽纯正，采用了上乘的电镀技术。在内存颗粒上，此款产品采用JPELPIDA(尔必达)内存，正反各8颗内存颗粒，容量为512MB，默认时序为5-5-5-15，是JEDEC认证DDR2 667的标准时序。在内存正面的中间位置有一颗采用SOIC封装的SPD芯片，其存储了内存速度、容量、电压和行列地址带宽等参数信息。
6、威刚万紫千红条DDR2-667 512MB
这款产品采用专业六层PCB基板，深紫色PCB表面引线大量采用145度边角处理及蛇形布线，有效保证了信号的稳定传输，同时正反PCB表面均采用过半覆铜设计，充分保障了产品的稳定运行。
内存采用单面8内存颗粒规格设计，大面积的覆铜设计，进一步确保了产品的可靠性和稳定性；超短程的布线对减小信号的延迟以及引线间的信号干扰可以起到很好的控制作用。该内存的金手指采用了化学镀金制造工艺，其间距均匀、色泽纯正，延长了产品的使用寿命，用户可以放心使用。内存工作电压为1.8V，时序参数为5-5-5-15。内存粘贴了由中国防伪行业协会提供的荧光粉防伪标签，可刮开防伪涂层将得到的编码通过拨打
8008309889免费电话或发短信至91603100加以查询。
7、超胜DDR2 800 512MB内存
超胜DDR2 800内存采用了单体塑料的外包装盒，包装盒没有过多花俏的设计，简约的风格很容易让人接受。这款内存采用了绿色的6层PCB设计，电阻排列整齐，做工一丝不苟，做工十分出色。内存颗粒方面。这款超胜DDR2 800内存采用的海力士颗粒，100％原厂A+级芯片，其默认运行频率为800MHz。不过凭借着优质的海力士内存颗粒以及超胜内存一贯出色的做工，这款超胜DDR2 800内存还存在着不小的超频空间，从相关测试来看，这款内存完全可以轻易达到1000MHz的水准。
8、Apacer DDR2-800 1GB
Apacer宇瞻内存，一直以系统运行的稳定和高效而著称，得到大部分消费者的信赖与认同。这款DDR2 800内存是non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2 SDRAM型DDR2-800，双rank配置16枚内存芯片，非ECC模组型PCB设计，继承一向的墨绿清秀外观，整体做工用料都非常到位，你几乎很难发现PCB上存在着一个空焊点，这无疑对内存的稳定和超频性能有较大的帮助。
Apacer风格标签明示这款模组的制造工艺和用料不含铅，其上提供基本的容量、速度和CAS延迟标注，每根模组有数字唯一的P/N产品编号。在内存颗粒方面，内存模组使用了来自Samsung的内存芯片，512Mbit规
格，64Mx8组织方式，整个模组的位宽是64bit，默认频率为800MHz。
9、金士顿DDR2 667 1GB内存
金士顿这内存采用双面16内存颗粒规格设计，PCB为公版设计，整体做工中规中矩，大量采用蛇形布线和145°边角处理，很好的保证了信号传输的稳定性。良好的覆铜效果增强了抗电子干扰能力，微型贴片电容和8PIN电阻排装贴整齐，焊点均匀饱满，体现出一流的做工工艺。内存采用“ELPIDA(尔必达)”颗粒，工作频率为DDR2-667，工作电压1.8V，内存时序(SPD timings)为5-5-5-15，完全按照JEDEC标准延迟周期设计，针脚数为240PIN，采用DDR2-DIMM接口规范。SPD芯片放在了中央位置，产品规格标签分成两部标贴于左右两侧。
10、海盗船TWIN2X1024A-6400内存套装
海盗船TWIN2X1024A-6400内存套装属于针对超频玩家推出的产品。此款套装产品里面包含两条512MB的“CM2X512A-6400”内存，外观秉承了海盗船先前产品的一贯设计风格，内存表面覆盖了黑色的散热片，同时也和内存贴合的相当紧密，为它完美散热奠定了基础。
内存正面海盗船的LOGO标识很是显著，右侧的内存型号标识也很清晰，产品型号为CM2X512A-6400，容量为512MB，工作频率为DDR2-800，参数为5-5-5-12，工作电压为1.9V。这款内存就大的亮点就是采用超频性能奇佳的美光D9颗粒，超频性能相当出色。同时，这款产品还通过NVIDIA的SLI认证，是当前SLI平台的最佳内存组合之一。
可以说，海盗船TWIN2X1024A-6400套装内存产品无论是在做工，还是在性能上表现都很出色，感兴趣的朋友可以考虑一下。
本本内存颗粒图
[三星内存颗粒]
[凌飞凌内存颗粒]
[台湾美光内存颗粒]
[winbond台湾地区的华邦内存颗粒]
[台湾第三大电脑内存芯片制造商Powerchip内存颗粒]
[台湾PROMOS内存颗粒]
[台湾PLUSS颗粒]
[台湾PQI劲永内存颗粒]
[现代内存颗粒]
[海力士内存颗粒区别于现代颗粒，从现代分离出来的]
[南亚内存颗粒]
[LG内存颗粒]
[mosel茂矽颗粒]
[金士顿内存颗粒]
[AMD内存颗粒]
[金士顿内存颗粒2]
[Vanguar内存颗粒]
美国毕恩微颗粒]
[宇瞻颗粒]
[KINGBOX颗粒]
[KINGMAX颗粒]
[A-DATA内存颗粒]
[海盗船]
[METC颗粒]
[南亚的ELIXIR颗粒]
P.s: Intel是世界上最大的半导体公司，三星第二,内存三星在技术和市场占有率都排名第一。这些资料都是从网上找来的，与网友们分享
三星编号识别
几种三星显存颗粒：
4ns 16位128MBits
[4ns 16位128MBits]
[5ns 16位128MBits]
编号规律：
[2.86ns 32位128MBits]
[3.6ns 32位128MBits]
[TSOP封装编号规律]
[BGA封装的编号规律]
与Hynix类似的，对于表示容量的两位代码，62、64＝64MBits，26、28＝128MBits，54、55、56＝256MBits，51、52＝512MBits。表示位宽的两们没什么特别的，16表示16位，32表示32位。表示时钟周期的两位也和Hynix一样，直接看数字，中间再加个小数点；但有比较特别的几个编号：2A＝2.86ns，2C＝2.66ns。
常见的几种显存颗粒识别图解
Hynix（现代）内存颗粒的编号规律
[5ns 16位256MBits(32MB)]
[4ns 16位128MBits(16MB)]
2.5ns 32位128MBits(16MB)
[2.5ns 32位128MBits(16MB)]
其实没必要对内存上每一位的编号都弄得一清二楚，了解其中关键的三组数字就基本上足够了。
为了直观，请大家看下面两图：
[TSOP封装编号规律]
[BGA封装的编号规律]
无论TSOP的还是BGA的，上面的同一编码所代表的意义是一样的。对于表示容量的两位代码，64、66表示64MBits（8MB），28=128Mbits，56、57=256Mbits，12=512Mbits，1G=1GBits。接着两位表示位宽的代码意义也不难理解，16表示16位，32就表示32位。表示时钟周期的两位（或一位）代码也很好理解，4表示4ns，5表示5ns，25、28、36分别表示2.5ns、2.8ns和3.6ns，简而言之你看到的数字是一个的话那么时钟周期就是那个，两个的话就在中间加个小数点。
多品牌显存编号识别
Infineon显存编号规律
基本上不用说明，看图就十分清楚了，而且它的容量用的是三位代码看到多少就是多少，直接了当，后面那个时钟周期就不用说了。
[Infineon（英飞凌）]
ESMT/EliteMT（台湾晶豪）
晶豪显存颗粒表示容量的三位代码也和Infineon的一样，看到是几容量就是几，后面加个MBits就行了，其余的也没必要多说，看图就是。
[晶豪3.6ns 16位128MBits（16MB）显存颗粒]
EtronTech（钰创）
钰创显存颗粒的容量用三位代码来表示，其中658＝64MBits，6A9＝128MBits，6AA＝256MBits。位宽用非常直观的两位代码来表示，16＝16位，32＝32位。最后一位时钟周期也和上面所提到的一样，4就表示4ns。
[钰创 4ns 16位64MBits（8MB]
MOSEL（台湾茂矽）
Mosel（茂矽）在显存颗粒，表示容量有点特别：64＝64MBits，65＝128MBits，66＝256MBits，67＝512MBits，68＝1GBits，69＝2GBits。表示位宽和时钟周期的和上面提到的一样。
[茂矽4ns 16位128MBits（16MB）显存颗粒]
NANYA（南亚科技）
Nanya（南亚）的内存颗粒编号标得最容易让人理解，16M表示16MB（注意不是16Mbits），16BT表示16位，5表示5ns。
[Nanya 5ns 16位16MB显存颗粒]
Micron（美光）
Micron（镁光）的编号规律和Nanya（南亚）的类似，8M表示的是8MB，不是8MBits，16和6分别表示16位和6ns。
给大家介绍了不少显存颗粒的编号识别方法，相信大家已经发现其中很多显存颗粒的编号规则都是差不多的，有的甚至还一模一样，因此就要大家记住其中最常见的一两种（现代和三星），其它依此类推。
[美光 6ns 16位8M显存颗粒]
一些内存数据
ADATA 威刚 美光(Micron)
Vitesta Extreme Edition PC2-8000 1000Mhz 5-5-5-15 chips Micron D9GKX
CORSAIR 海盗船 Winbond（华邦）系列
TWIN2X2048-6400C4PRO (2x1024) 800mhz 4-4-4-12 2.0V rev.XMS6405v3.1 chips Infineon 英飞凌
TWIN2X2048-6400PRO TWIN2X2048-6400PRO 800mhz 5-5-5-12 2.0v rev.
XMS6405v3.1 usa Infineon, rev. XMS6405v1.3 chips Micron
TWIN2X2048-5400C4PRO (2x1024) 667mhz 4-4-4-12
TWIN2X1024-5400C4PRO (2x512) 667mhz 4-4-4-12 chips Nanya 南亚
TWIN2X1024-4300C3PRO (2x512) 3-3-3-8 chips Elpida
TWIN2X2048-8500C5 EPP (2x1024) 1100mhz 5-5-5-15 chips Micron D9GMH
TWIN2X1024-8500 (1x1024) 1100mhz 5-5-5-15 chips Micron D9GMH
TWIN2X1024-8000UL (2x512) 1000mhz 5-4-4-9 chips Micron BT-3 D9DQT
TWIN2X2048-6400C3 EPP (2x1024) 800mhz 3-4-3-9 rev. XMS6403v1.1 chips Micron
TWIN2X2048-6400 (2x1024) 800mhz 5-5-5-12 chips Micron BT-37E
TWIN2X2048-6400C4 EPP (2x1024) 800mhz 4-4-4-12 rev. XMS6404v1.2 chips Micron
TWIN2X1024A-6400 (2x512) 800mhz 5-5-5-12
TWIN2X1024-6400C4 EPP (2x512) 800mhz 4-4-4-12
TWIN2X2048-5400C4 (2x1024) 667mhz 4-4-4-12 chips Naya
TWIN2X2048-5400UL (2x1024) 667mhz 3-3-2-8 chips D9DQT - Micron BT-3
TWIN2X1024-5400C4 (2x512) 667mhz 4-4-4-12 chips Naya Rev 5.2 usa D9DQW o MT47H64M8BT-37E
TWIN2X1024-5400UL (2x512) 667mhz 3-3-2-8 chips D9DQT - Micron BT-3
TWIN2X512-5400C4 (2x256) 667mhz 4-4-4-12
CM2x512-8500 (1x512) 1100mhz 5-5-5-15 rev. XMS8505V1.1 e XMS8505v1.2 chips Micron D9GMH
CM2X512-8000UL (1x512) 1000mhz 5-4-4-9 chips D9DQT - rev. XMS8005v1.1 chips Micron BT-3
CM2X1024-6400 (1x1024) 800mhz 5-5-5-12 rev. XMS6405v4.1 usa Infineon, rev. XMS6405 v1.4 chips Micron, rev. XMS6405v1.1 chips Micron, rev. XMS6405V3.1 chips Infineon
CM2X512A-6400 (1x512) 800mhz 5-5-5-12
CM2X1024-6400C3 (1x1024) 800mhz 3-4-3-9 rev. XMS6403v1.1 chips Micron
CM2X1024-6400C4 (1x1024) 800mhz 4-4-4-12 rev. XMS6404v1.2 chips Micron
CM2X1024-6400PRO (1x1024) 800mhz 4-4-4-12 800mhz 2.0V rev.XMS6405v3.1 chips Infineon, rev. XMS6405v1.3 chips Micron
CM2X1024-5400C4 (1x1024) 667mhz 4-4-4-12
CM2X512-5400C4PRO (1x512) 667mhz 4-4-4-12 chips Nanya
CM2X512-5400C4 (1x512) 667mhz 4-4-4-12 chips Naya Rev 5.2 usa D9DQW o MT47H64M8BT-37E
CM2X256-5400C4 (1x256) 667mhz 4-4-4-12
CM2X512-4300C3 (1x512) 533mhz 3-3-3-8
CM2X512-4300C3PRO (1x512) 533mhz 3-3-3-8 rev. XMS4303v9.9 chips micron
CRUCIAL(内存新秀) Micron公司的子公司
TRACER - 5300 667mhz 4-4-4-10 1.9V chips
BALLISTIX - 4200 533mhz 3-3-3-10 1.9V
BALLISTIX - 5300 667mhz 4-4-4-10 1.9V
BALLISTIX - 5300 667mhz 3-3-3-12 2.2V D9DQT - Micron BT-3--->Micron B6-3
BALLISTIX - 6400 800mhz 4-4-4-12 2.2V Micron BT-37E--->Micron B6-37E alcuni Kit 2 x 1024 usano Micron B6-25F alcuni 2 x 512 usano Micron D9GMH
BALLISTIX - 8000 1000mhz 5-5-5-15 2.2V Fatbody D9/Micron BT-3 chips--->Micron B6-3
G.SKILL 芝奇(G.SKILL) 台湾
F2-4200PHU1-512LA (1x512) 533mhz 4-4-4-12 1.8-2.0V
F2-4200PHU1-1GBLA (1x1024) 533mhz 4-4-4-12 1.8-2.0V
F2-4200PHU2-1GBLA (2x512) 533mhz 4-4-4-12 1.8-2.0V
F2-4200PHU2-2GBLA (2x1024) 533mhz 4-4-4-12 1.8-2.0V
F2-4200PHU1-512NT (1x512) 533mhz 4-4-4-12 1.8-2.0V
F2-4200PHU1-1GBNT (1x1024) 533mhz 4-4-4-12 1.8-2.0V
F2-4200PHU2-1GBNT (2x512) 533mhz 4-4-4-12 1.8-2.0V
F2-4200PHU2-2GBNT (2x1024) 533mhz 4-4-4-12 1.8-2.0V
F2-4200PHU1-512NV (1x512) 533mhz 4-4-4-12 1.8-2.0V
F2-4200PHU1-1GBNV (1x1024) 533mhz 4-4-4-12 1.8-2.0V
F2-4200PHU2-1GBNV (2x512) 533mhz 4-4-4-12 1.8-2.0V
F2-4200PHU2-2GBNV (2x1024) 533mhz 4-4-4-12 1.8-2.0V
F2-5400PHU1-512NT (1x512) 667mhz 5-5-5-15 1.9-2.0V
F2-5400PHU1-1GBNT (1x1024) 667mhz 5-5-5-15 1.9-2.0V
F2-5400PHU2-1GBNT (2x512) 667mhz 5-5-5-15 1.9-2.0V
F2-5400PHU2-2GBNT (2x1024) 667mhz 5-5-5-15 1.9-2.0V
F2-5400PHU1-1GBNS (1x1024) 667mhz 5-5-5-15 1.9-2.0V
F2-5400PHU2-2GBNS (2x1024) 667mhz 5-5-5-15 1.9-2.0V
F2-5400PHU1-512ZX (1x512) 667mhz 4-4-4-12 1.9-2.0V
F2-5400PHU1-1GBZX (1x1024) 667mhz 4-4-4-12 1.9-2.0V
F2-5400PHU2-1GBZX (2x512) 667mhz 4-4-4-12 1.9-2.0V
F2-5400PHU2-2GBZX (2x1024) 667mhz 4-4-4-12 1.9-2.0V
F2-5400PHU1-512LA (1x512) 667mhz 4-4-4-12 1.9-2.0V
F2-5400PHU1-1GBLA (1x1024) 667mhz 4-4-4-12 1.9-2.0V
F2-5400PHU2-1GBLA (2x512) 667mhz 4-4-4-12 1.9-2.0V
F2-5400PHU2-2GBLA (2x1024) 667mhz 4-4-4-12 1.9-2.0V
F2-6400PHU1-1GBNS (1x1024) 800mhz 5-5-5-15 1.9-2.0V (solo x Intel)
F2-6400PHU2-2GBNS (2x1024) 800mhz 5-5-5-15 1.9-2.0V (solo x Intel)
F2-6400PHU1-512NR (1x512) 800mhz 5-5-5-15 1.9-2.0V
F2-6400PHU1-1GBNR (1x1024) 800mhz 5-5-5-15 1.9-2.0V
F2-6400PHU2-1GBNR (2x512) 800mhz 5-5-5-15 1.9-2.0V
F2-6400PHU2-2GBNR (2x1024) 800mhz 5-5-5-15 1.9-2.0V
F2-6400PHU2-1GBHZ(2x512) 800mhz 4-4-4-12 2.0-2.1V chips Micron D9GMH
F2-6400PHU2-2GBHZ(2x1024) 800mhz 4-4-4-12 2.0-2.1V rev. 101 usa Micron D9***
F2-8000PHU1-1GBZX (1x1024) 1000mhz 5-5-5-15 2.2-2.3V
F2-8000PHU2-2GBZX (2x1024) 1000mhz 5-5-5-15 2.2-2.3V
F2-8000PHU1-1GBHZ (1x1024) 1000mhz 4-4-4-5 2.2-2.3V chips Micron D9GKX
F2-8000PHU2-2GBHZ (2x1024) 1000mhz 4-4-4-5 2.2-2.3V chips Micron D9GKX
F2-8500PHU1-1GBHZ (1x1024) 1066mhz 4-4-4-5 2.2-2.3V chips Micron D9GKX
F2-8500PHU2-2GBHZ (2x1024) 1066mhz 4-4-4-5 2.2-2.3V chips Micron D9GKX
GEIL 金邦
VALUE 4200 533mhz 4-4-4-12 1.8V
VALUE 5300 667mhz 5-5-5-15 1.8V
VALUE 6400 800mhz 5-5-5-15 1.8V
VALUE 8000 1000mhz 5-5-5-15 1.9-2.3V
ULTRA 4300 533mhz 3-3-3-8 1.8-2.4V
ULTRA 5400 667mhz 3-4-4-8 1.8-2.4V
ULTRA 6400 800mhz 4-4-4-12 1.8-2.3V
ULTRA 8000 1000mhz 4-4-4-12 2.4v
ULTRA 8500 1066mhz 5-5-5-15 2.4-2.5V
Kingston
ValueRam PC2-5400 667Mhz 4- 1.8V chips Micron D9GCT
MUSHKIN 俄罗斯公司
ENHANCED VALUE 4200 533mhz 4-4-4-12 1.9v
ENHANCED VALUE 5300 667mhz 5-5-5-15 1.9V
ENHANCED VALUE EM2-4200 533mhz 4-4-4-12 1.9v
ENHANCED VALUE EM2-5300 667mhz 5-5-5-15 1.9V
ENHANCED VALUE EM2-6400 800mhz 5-5-5-12 1.9V chips Infineon
HIGH PERFORMANCE HP2 4200 533mhz 3-3-3-9 1.9V
HIGH PERFORMANCE HP2 5300 667mhz 4-4-4-10 1.9V
EXTREME PERFORMANCE XP2 6400 800mhz 4-4-3-10 1.9-2.1V chips Micron D9GMH
EXTREME PERFORMANCE XP2 8000 REDLINE 1000mhz 4-5-4-11 2.2-2.3V chips Micron D9GMH
OCZ OCZ（美国的）
Value PC2-4200 533Mhz 4-4-4-8 1.8V
Value PC2-5400 667Mhz 5-5-5-15 1.8V
Value Pro PC2-4200 533Mhz 4-4-4-8 1.8V
Value Pro PC2-5400 667Mhz 5-5-5-15 1.8V
Special OPS PC2-5400 667Mhz 4-4-4-12 1.9V
Special OPS PC2-6400 800Mhz 5-5-5-12 2.0V
Special OPS PC2-7200 900Mhz 5-5-5-15 2.1V
Gold EL PC2-4200 533Mhz 3-3-3-8 1.8V
Gold EL PC2-5400 667Mhz 4-4-4-12 1.9V
Gold EL PC2-6400 800Mhz 5-5-5-10 2.0V
Gold GX XTC PC2-4200 533Mhz 3-3-3-12 1.9V
Gold GX XTC PC2-5400 667Mhz 4-4-4-12 1.9V
Gold GX XTC PC2-6400 800Mhz 5-5-5-12 2.0V
Gold GX XTC PC2-8000 1000Mhz 5-6-6-15 2.1V
Platinum PC2-5400 667Mhz 3-3-3-12 2.1V chips Micron BT-3
Platinum PC2-6400 800Mhz 4-5-4-15 2.1V
Platinum PC2-6400 Rev.2 800Mhz 4-4-4-15 2.1V chips Micron BT-3
Platinum PC2-7200 SLI Edition 900Mhz 4-4-3-15
Platinum PC2-8000 1000Mhz 5-5-5-15 2.1V
Platinum PC2-8000 Extreme Edition 1000Mhz 4-5-4-15 2.1V
Titanium PC2-5400 667Mhz 4-2-2-8 2.1V chips Micron BT-3
Titanium Alpha PC2-6400 800Mhz 3-4-3-9 2.2V
Titanium Alpha PC2-8000 1000Mhz 4-4-4-15 2.3V
PATRIOT 爱国者
SIGNATURE LINE PC2-4200 533Mhz 4-
SIGNATURE LINE PC2-5300 667Mhz 5-
SIGNATURE LINE PC2-6400 800Mhz 5-
EXTREME PERFORMANCE PC2-5300LL 667Mhz 4-4-4-12
EXTREME PERFORMANCE PC2-6400LL 800Mhz 4-4-4-12 2.2V chips Micron D9DQT - Micron BT-3 chips
EXTREME PERFORMANCE PC2-7200LL 900Mhz 5-5-5-15 2.3V
EXTREME PERFORMANCE PC2-8000LL 1000Mhz 5-5-5-15 2.3V chips Micron D9DQT - Micron BT-3 chips
EXTREME PERFORMANCE PC2-8000XBL 1000Mhz 4-4-4-12 2.2V
SUPER-TALENT 美国Super Talent公司
DESKTOP PC2-4300 533Mhz 4-
DESKTOP PC2-5400 I 667Mhz 4-
DESKTOP PC2-5400 C 667Mhz 5-
SUPER RIGID PC2-4300 533Mhz 4-
SUPER RIGID PC2-5400 667Mhz 5-
OVERCLOCKED PC2-6400C4 800 Mhz 4-3-4-8 chis D9DQT - Micron BT-3 O D9GKX
OVERCLOCKED PC2-6400C5 800 Mhz 5-5-4-12
OVERCLOCKED PC2-8000 1000Mhz 5-5-5-15 chips D9DQT - Micron BT-3 nuove Rev D9GKX
TEAM GROUP
Value PC2-4300 533Mhz 4-4-4-12
Value PC2-5300 667Mz 5-5-5-12
XTREEM PC2-5300 667Mhz 3-3-3-8 1.95 - 2.3V chips Micron D9GMH
XTREEM PC2-6400 800Mhz 4-4-4-10 1.95 - 2.3V
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